Сверхвысокочастотные транзисторы выполнены по современной нитрид-галлиевой технологии (GaN). Они обеспечивают высокую мощность, стойкость аппаратуры к космической радиации и другим внешним воздействиям, стабильную работу при температурах от -60 °С до +125 °С. Кроме того, применение таких транзисторов в СВЧ-аппаратуре военного и двойного назначения позволяет заметно уменьшить массогабаритные характеристики изделий.

В составе «ОПК» разработку СВЧ-транзисторов ведет НИИ электронной техники. Изделия предназначены для использования в составе космического оборудования, комплексов радиосвязи, радиолокационной аппаратуре и технике радиоэлектронной борьбы (РЭБ). 

На данный момент разработка полностью завершена, испытания электронных компонентов в составе различной аппаратуры находится в завершающей стадии. По предварительным оценкам, потребность в мощных СВЧ-транзисторах с использованием технологии GaN, только на отечественном рынке составляет более 100 тыс. штук в год.